説明 :
MOSFET P-CH -30V SOT-8
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
4.4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
53 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
30nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
670pF @ 15V
サプライヤーデバイスパッケージ :
SuperSOT™-8
パッケージ/ケース :
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)