IXFQ12N80P 価格設定（USD） [26643個在庫]
- 1 pcs$1.71005
- 30 pcs$1.70154
- 品番:
- IXFQ12N80P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFQ12N80P electronic components. IXFQ12N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ12N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFQ12N80P 製品の属性
品番 :
IXFQ12N80P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
シリーズ :
HiPerFET™, PolarHT™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
850 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2800pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
360W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- 2N7002PM,315
- PHD34NQ10T,118
- NVMFS6B75NLWFT3G
- SFT1341-E
- IXFE48N50QD3
- GP1M008A080H
- GP1M003A040CG
- NTTFS4C56NTAG
- SI8405DB-T1-E3
- PHK04P02T,518
- FDMS2504SDC
- IRF6797MTR1PBF
- IRFS4010PBF
- NTD110N02R-001G
- BSS119 E7796
- HUF75332S3ST
- FQU5N50TU
- FDR840P
- IRLR3714TRLPBF
- IRLR3802PBF
- APT18F60S
- IRF540ZS
- SI7856ADP-T1-E3
- IRL1404ZS
- NTR4501NT3
- FQD9N08TM
- IRFR3711ZTRL
- IRFI1310N
- IRFR13N20DTRL
- IRFBC20STRL
- IRF7521D1
- IRFIBE20G
- PH7030L,115
- STT3PF20V
- IXFH86N30T
- FCH125N60E
- SQM50N04-4M0L_GE3
- IXTP2N80P
- TPC8067-H,LQ(S
- SQ2398ES-T1_GE3