メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 31V 40V POWERDI506
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
21A (Ta), 140A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
43.7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2370pF @ 15V
消費電力(最大) :
2.7W (Ta), 113W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8