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- 品番:
- FQB9N50CFTM_WS
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQB9N50CFTM_WS electronic components. FQB9N50CFTM_WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB9N50CFTM_WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB9N50CFTM_WS 製品の属性
品番 :
FQB9N50CFTM_WS
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
シリーズ :
FRFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
850 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1030pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
173W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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