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- 品番:
- IRFR12N25DTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR12N25DTRPBF electronic components. IRFR12N25DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR12N25DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR12N25DTRPBF 製品の属性
品番 :
IRFR12N25DTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
14A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
260 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
810pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
144W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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