IXYS - IXFT50N60P3

KEY Part #: K6394761

IXFT50N60P3 価格設定(USD) [13823個在庫]

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品番:
IXFT50N60P3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 50A TO268.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT50N60P3 製品の属性

品番 : IXFT50N60P3
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 50A TO268
シリーズ : HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 145 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 94nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1040W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA