SIHD180N60E-GE3 価格設定（USD） [29408個在庫]
- 1 pcs$1.40143
- 品番:
- SIHD180N60E-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET E SERIES 600V DPAK TO-25.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHD180N60E-GE3 electronic components. SIHD180N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD180N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHD180N60E-GE3 製品の属性
品番 :
SIHD180N60E-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET E SERIES 600V DPAK TO-25
シリーズ :
E
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
19A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
195 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1080pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
156W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252AA
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FDS5672_F095
- AON6428_103
- SCH1439-TL-W
- N0439N-S19-AY
- IXFR10N100Q
- DMP3025LK3-13-01
- UPA2821T1L-E1-AT
- RJK4002DPP-M0#T2
- BMS4003
- TK16A55D(STA4,Q,M)
- 2SK3704
- IPB096N03LGATMA1
- SIA419DJ-T1-GE3
- NTR4503NT1
- NTD24N06L-001
- IRF6629TRPBF
- IRF7453TRPBF
- IRFP064VPBF
- IRFZ46ZPBF
- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
- IRL530STRL
- IRFBF20STRR
- IRFR9120NTRR
- IRL520
- PMN23UN,165
- PSMN085-150K,518
- STD8NM60N-1
- STP10NK50Z
- IPP65R190CFDAAKSA1
- SQP120P06-6M7L_GE3
- IXTA1N80
- AUIRFR2905Z
- IPA65R310CFDXKSA2
- BSC159N10LSFGATMA1
- STD37P3H6AG
- IRFH8330TRPBF