説明 :
GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
90A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
2.5 mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 14mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
15nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1650pF @ 40V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)