[1519個在庫]
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PSMN1R9-25YLC,115 electronic components. PSMN1R9-25YLC,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN1R9-25YLC,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN1R9-25YLC,115 製品の属性
品番 :
PSMN1R9-25YLC,115
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.05 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.95V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
57nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3504pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
141W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース :
SC-100, SOT-669
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK9E2R3-40E,127
- IPB60R330P6ATMA1
- MCH6344-TL-W
- 2N7002 BK
- IPI80N04S2H4AKSA2
- IPU50R2K0CEBKMA1
- BSF024N03LT3GXUMA1
- FDV302P-NB8V001
- IXFL44N60
- NVTS4409NT1G
- FDD8445-F085
- NTMFS5834NLT1G
- BUK9E04-40A,127
- FQD16N25CTM_F080
- NTMFS4121NT3G
- IPP120N06NGAKSA1
- FQP90N10V2
- E3M0065090D
- FQD10N20TM
- FQI17N08LTU
- NTP13N10G
- NTD14N03R-001
- MGSF1P02LT1
- SPB100N03S2-03
- IRFR3707
- IRFBE30STRR
- PMN23UN,135
- STW17N62K3
- STB16NM50N
- IRFPS3815PBF
- IPB019N08N3GATMA1
- IPC30S2SN08NX2MA1
- IPI120N04S401AKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- AUIRFR2407TRL
- SIHD7N60ET4-GE3
- TK7P65W,RQ
- PSMN1R7-30YL,115
- BSL372SNH6327XTSA1
- RCD051N20TL