HTNFET-T 価格設定（USD） [214個在庫]
- 1 pcs$228.88602
- 10 pcs$220.40876
- 品番:
- HTNFET-T
- メーカー:
- Honeywell Aerospace
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 4-PIN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Honeywell Aerospace HTNFET-T electronic components. HTNFET-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTNFET-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HTNFET-T 製品の属性
品番 :
HTNFET-T
メーカー :
Honeywell Aerospace
説明 :
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
シリーズ :
HTMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.3nC @ 5V
Vgs（最大） :
10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
290pF @ 28V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-Power Tab
パッケージ/ケース :
4-SIP
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