HTNFET-T 価格設定（USD） [214個在庫]
- 1 pcs$228.88602
- 10 pcs$220.40876
- 品番:
- HTNFET-T
- メーカー:
- Honeywell Aerospace
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 4-PIN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Honeywell Aerospace HTNFET-T electronic components. HTNFET-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTNFET-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HTNFET-T 製品の属性
品番 :
HTNFET-T
メーカー :
Honeywell Aerospace
説明 :
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
シリーズ :
HTMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.3nC @ 5V
Vgs（最大） :
10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
290pF @ 28V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-Power Tab
パッケージ/ケース :
4-SIP
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK9E2R3-40E,127
- IPB60R330P6ATMA1
- MCH6344-TL-W
- 2N7002 BK
- IPI80N04S2H4AKSA2
- IPU50R2K0CEBKMA1
- BSF024N03LT3GXUMA1
- FDV302P-NB8V001
- IXFL44N60
- NVTS4409NT1G
- FDD8445-F085
- NTMFS5834NLT1G
- BUK9E04-40A,127
- FQD16N25CTM_F080
- NTMFS4121NT3G
- IPP120N06NGAKSA1
- FQP90N10V2
- E3M0065090D
- FQD10N20TM
- FQI17N08LTU
- NTP13N10G
- NTD14N03R-001
- MGSF1P02LT1
- SPB100N03S2-03
- IRFR3707
- IRFBE30STRR
- PMN23UN,135
- STW17N62K3
- STB16NM50N
- IRFPS3815PBF
- IPB019N08N3GATMA1
- IPC30S2SN08NX2MA1
- IPI120N04S401AKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- AUIRFR2407TRL
- SIHD7N60ET4-GE3
- TK7P65W,RQ
- PSMN1R7-30YL,115
- BSL372SNH6327XTSA1
- RCD051N20TL