メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
12A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
31.6nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4310pF @ 15V
FET機能 :
Schottky Diode (Body)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI3333-8