SIRA02DP-T1-GE3 価格設定（USD） [103515個在庫]
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- 品番:
- SIRA02DP-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
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SIRA02DP-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIRA02DP-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
117nC @ 10V
Vgs（最大） :
+20V, -16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6150pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W (Ta), 71.4W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8
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