Vishay Siliconix - SIHP15N65E-GE3

KEY Part #: K6417059

SIHP15N65E-GE3 価格設定(USD) [24290個在庫]

  • 1 pcs$1.64381
  • 10 pcs$1.46665
  • 100 pcs$1.20249
  • 500 pcs$0.92378
  • 1,000 pcs$0.77909

品番:
SIHP15N65E-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP15N65E-GE3 electronic components. SIHP15N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP15N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP15N65E-GE3 製品の属性

品番 : SIHP15N65E-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 15A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 280 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1640pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 34W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.