TPH6R003NL,LQ 価格設定（USD） [261122個在庫]
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- 品番:
- TPH6R003NL,LQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 30V 38A 8SOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R003NL,LQ electronic components. TPH6R003NL,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH6R003NL,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH6R003NL,LQ 製品の属性
品番 :
TPH6R003NL,LQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
38A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1400pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.6W (Ta), 34W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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