DMG4800LK3-13 価格設定（USD） [392747個在庫]
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- 品番:
- DMG4800LK3-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 10A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG4800LK3-13 electronic components. DMG4800LK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4800LK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG4800LK3-13 製品の属性
品番 :
DMG4800LK3-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 30V 10A TO252
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.7nC @ 5V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
798pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.71W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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