Vishay Siliconix - SI3456DDV-T1-E3

KEY Part #: K6404966

SI3456DDV-T1-E3 価格設定(USD) [697660個在庫]

  • 1 pcs$0.05302
  • 3,000 pcs$0.05025

品番:
SI3456DDV-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI3456DDV-T1-E3 electronic components. SI3456DDV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3456DDV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3456DDV-T1-E3 製品の属性

品番 : SI3456DDV-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 325pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-TSOP
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

あなたも興味があるかもしれません