IRFH7932TRPBF 価格設定（USD） [196275個在庫]
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- 品番:
- IRFH7932TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH7932TRPBF electronic components. IRFH7932TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH7932TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH7932TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFH7932TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
24A (Ta), 104A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
51nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4270pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.4W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PQFN (5x6) Single Die
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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