IXYS - IXFN30N110P

KEY Part #: K6401312

IXFN30N110P 価格設定(USD) [2445個在庫]

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品番:
IXFN30N110P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN30N110P 製品の属性

品番 : IXFN30N110P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
シリーズ : Polar™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 6.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 235nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 13600pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 695W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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