説明 :
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
8.3A (Ta), 69A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 11.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
29nC @ 11.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2363pF @ 12V
消費電力(最大) :
660mW (Ta), 46.3W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-WDFN (3.3x3.3)