IXFP56N30X3M 価格設定（USD） [14212個在庫]
- 1 pcs$2.89981
- 品番:
- IXFP56N30X3M
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- FET N-CHANNEL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFP56N30X3M electronic components. IXFP56N30X3M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP56N30X3M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFP56N30X3M 製品の属性
品番 :
IXFP56N30X3M
メーカー :
IXYS
説明 :
FET N-CHANNEL
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
300V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
56A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 1.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3750pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
36W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220 Isolated Tab
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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