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- 品番:
- IPS12CN10LGBKMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPS12CN10LGBKMA1 electronic components. IPS12CN10LGBKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS12CN10LGBKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPS12CN10LGBKMA1 製品の属性
品番 :
IPS12CN10LGBKMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
69A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11.8 mOhm @ 69A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 83µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5600pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO251-3
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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