NDP6060L 価格設定（USD） [34508個在庫]
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- 品番:
- NDP6060L
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NDP6060L electronic components. NDP6060L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDP6060L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDP6060L 製品の属性
品番 :
NDP6060L
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
48A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
60nC @ 5V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
-65°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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