IXFT20N80Q 価格設定（USD） [13149個在庫]
- 30 pcs$7.14771
- 品番:
- IXFT20N80Q
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 20A TO-268.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, パワードライバーモジュール and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFT20N80Q electronic components. IXFT20N80Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT20N80Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT20N80Q 製品の属性
品番 :
IXFT20N80Q
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
420 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
360W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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