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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG electronic components. TSM120N10PQ56 RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM120N10PQ56 RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM120N10PQ56 RLG 製品の属性
品番 :
TSM120N10PQ56 RLG
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
58A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
145nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3902pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
36W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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