APT58M80J 価格設定（USD） [1728個在庫]
- 1 pcs$25.06453
- 10 pcs$23.59031
- 25 pcs$22.11609
- 100 pcs$21.08400
- 品番:
- APT58M80J
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT58M80J electronic components. APT58M80J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT58M80J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT58M80J 製品の属性
品番 :
APT58M80J
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60W (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
110 mOhm @ 43A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
570nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
17550pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
960W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FDS5672_F095
- AON6428_103
- SCH1439-TL-W
- N0439N-S19-AY
- IXFR10N100Q
- DMP3025LK3-13-01
- UPA2821T1L-E1-AT
- RJK4002DPP-M0#T2
- BMS4003
- TK16A55D(STA4,Q,M)
- 2SK3704
- IPB096N03LGATMA1
- SIA419DJ-T1-GE3
- NTR4503NT1
- NTD24N06L-001
- IRF6629TRPBF
- IRF7453TRPBF
- IRFP064VPBF
- IRFZ46ZPBF
- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
- IRL530STRL
- IRFBF20STRR
- IRFR9120NTRR
- IRL520
- PMN23UN,165
- PSMN085-150K,518
- STD8NM60N-1
- STP10NK50Z
- IPP65R190CFDAAKSA1
- SQP120P06-6M7L_GE3
- IXTA1N80
- AUIRFR2905Z
- IPA65R310CFDXKSA2
- BSC159N10LSFGATMA1
- STD37P3H6AG
- IRFH8330TRPBF