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ON Semiconductor - FDP032N08B-F102

KEY Part #: K6418398

FDP032N08B-F102 価格設定（USD） [61849個在庫]

  • 1 pcs$0.63219
品番:
FDP032N08B-F102
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDP032N08B-F102 electronic components. FDP032N08B-F102 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP032N08B-F102, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP032N08B-F102 製品の属性

品番 : FDP032N08B-F102
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 144nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 10965pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 263W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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