APT20M11JVR 価格設定（USD） [1672個在庫]
- 1 pcs$26.01073
- 10 pcs$25.88133
- 品番:
- APT20M11JVR
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT20M11JVR electronic components. APT20M11JVR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT20M11JVR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT20M11JVR 製品の属性
品番 :
APT20M11JVR
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
シリーズ :
POWER MOS V®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
175A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
21600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOTOP®
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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