2SK1317-E 価格設定（USD） [28891個在庫]
- 1 pcs$2.64861
- 品番:
- 2SK1317-E
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America 2SK1317-E electronic components. 2SK1317-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK1317-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK1317-E 製品の属性
品番 :
2SK1317-E
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
15V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 Ohm @ 2A, 15V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
990pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
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