[26個在庫]
- 品番:
- SPD04N50C3T
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SPD04N50C3T electronic components. SPD04N50C3T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD04N50C3T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPD04N50C3T 製品の属性
品番 :
SPD04N50C3T
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
560V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
470pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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