APTM120H140FT1G 価格設定（USD） [2247個在庫]
- 1 pcs$19.26652
- 100 pcs$19.03968
- 品番:
- APTM120H140FT1G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM120H140FT1G electronic components. APTM120H140FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H140FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM120H140FT1G 製品の属性
品番 :
APTM120H140FT1G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
145nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3812pF @ 25V
パワー-最大 :
208W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP1
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP1
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FMP76-010T
- PMGD175XNEAX
- AON5802B_101
- AON6920_001
- AO4806L
- NTMFD4C86NT3G
- LP1030DK1-G
- VQ1006P
- RJM0306JSP-01#J0
- APTC60DDAM45CT1G
- AUIRF7309Q
- SI4816DY-T1-GE3
- SI4814BDY-T1-E3
- SP8M10FU6TB
- NTLUD3191PZTBG
- GWM120-0075X1-SMDSAM
- TPC8213-H(TE12LQ,M
- MMDF3N04HDR2G
- DMN5L06VA-7
- NTLJD2105LTBG
- SI9926BDY-T1-E3
- SI8904EDB-T2-E1
- MMDF2P02ER2G
- HUFA76404DK8T
- FDS8333C
- TPC8207(TE12L,Q)
- IRF7350PBF
- NTMD6N03R2
- IRF6156
- IRF5810
- ZDM4306NTA
- AUIRFN8459TR
- EPC2107ENGRT
- IPG20N06S4L14AATMA1
- BUK7K45-100EX
- TSM8588CS RLG
- FDC3601N
- SI1965DH-T1-GE3
- SI1034CX-T1-GE3
- 2N7002PSZ