Vishay Siliconix - IRFBC40ASPBF

KEY Part #: K6399428

IRFBC40ASPBF 価格設定(USD) [19008個在庫]

  • 1 pcs$2.16824
  • 10 pcs$1.93776
  • 100 pcs$1.58903
  • 500 pcs$1.28675
  • 1,000 pcs$1.02955

品番:
IRFBC40ASPBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRFBC40ASPBF electronic components. IRFBC40ASPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBC40ASPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBC40ASPBF 製品の属性

品番 : IRFBC40ASPBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1036pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.