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- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 25A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDD45AN06LA0_F085 electronic components. FDD45AN06LA0_F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD45AN06LA0_F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD45AN06LA0_F085 製品の属性
品番 :
FDD45AN06LA0_F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.2A (Ta), 25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
36 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
880pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
55W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252AA
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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