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- 品番:
- STL12N10F7
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STL12N10F7 electronic components. STL12N10F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL12N10F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STL12N10F7 製品の属性
品番 :
STL12N10F7
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P
シリーズ :
STripFET™ F7
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
44A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.3 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1820pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
52W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerFlat™ (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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