説明 :
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
100A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
17 mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.6V @ 34mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
330nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
8200pF @ 10V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)