DMG7N65SCTI 価格設定（USD） [82923個在庫]
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- 品番:
- DMG7N65SCTI
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG7N65SCTI electronic components. DMG7N65SCTI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG7N65SCTI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG7N65SCTI 製品の属性
品番 :
DMG7N65SCTI
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25.2nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
886pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
28W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ITO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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