TK1K9A60F,S4X 価格設定（USD） [102769個在庫]
- 1 pcs$0.38047
- 品番:
- TK1K9A60F,S4X
- 詳細な説明:
- PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F,S4X electronic components. TK1K9A60F,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK1K9A60F,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK1K9A60F,S4X 製品の属性
品番 :
TK1K9A60F,S4X
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
シリーズ :
U-MOSIX
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.9 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 400µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
490pF @ 300V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
150°C
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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