ZXMC3F31DN8TA 価格設定（USD） [216484個在庫]
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- 500 pcs$0.15662
- 品番:
- ZXMC3F31DN8TA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMC3F31DN8TA electronic components. ZXMC3F31DN8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMC3F31DN8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMC3F31DN8TA 製品の属性
品番 :
ZXMC3F31DN8TA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.8A, 4.9A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12.9nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
608pF @ 15V
パワー-最大 :
1.8W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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