FCP220N80 価格設定（USD） [16910個在庫]
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- 800 pcs$1.80975
- 品番:
- FCP220N80
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 23A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FCP220N80 electronic components. FCP220N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP220N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCP220N80 製品の属性
品番 :
FCP220N80
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 800V 23A
シリーズ :
SuperFET® II
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
23A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 2.3mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4560pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
278W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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