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ON Semiconductor - MTP10N10ELG

KEY Part #: K6411408

[13800個在庫]

    品番:
    MTP10N10ELG
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor MTP10N10ELG electronic components. MTP10N10ELG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MTP10N10ELG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MTP10N10ELG 製品の属性

    品番 : MTP10N10ELG
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 10A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 220 mOhm @ 5A, 5V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 15nC @ 5V
    Vgs（最大） : ±15V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1040pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 1.75W (Ta), 40W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

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