ON Semiconductor - FDD107AN06LA0

KEY Part #: K6411327

[13829個在庫]


    品番:
    FDD107AN06LA0
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD107AN06LA0 製品の属性

    品番 : FDD107AN06LA0
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 91 mOhm @ 10.9A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5.5nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 360pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 25W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252AA
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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