メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
204A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
-
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 35.2mA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
20000pF @ 10V