BSM180C12P2E202 価格設定（USD） [164個在庫]
- 1 pcs$281.91240
- 品番:
- BSM180C12P2E202
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202 electronic components. BSM180C12P2E202 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM180C12P2E202, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM180C12P2E202 製品の属性
品番 :
BSM180C12P2E202
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
204A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 35.2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
+22V, -6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
20000pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1360W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
パッケージ/ケース :
Module
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