Diodes Incorporated - ZXMN6A08GQTC

KEY Part #: K6393885

ZXMN6A08GQTC 価格設定(USD) [213528個在庫]

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品番:
ZXMN6A08GQTC
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFETN-CH 60VSOT223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A08GQTC 製品の属性

品番 : ZXMN6A08GQTC
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFETN-CH 60VSOT223
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5.8nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 459pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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