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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPP22N03S4L15AKSA1 electronic components. IPP22N03S4L15AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP22N03S4L15AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP22N03S4L15AKSA1 製品の属性
品番 :
IPP22N03S4L15AKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14.9 mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
980pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
31W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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