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- 品番:
- PHU66NQ03LT,127
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 66A SPT533.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PHU66NQ03LT,127 electronic components. PHU66NQ03LT,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHU66NQ03LT,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHU66NQ03LT,127 製品の属性
品番 :
PHU66NQ03LT,127
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 25V 66A SPT533
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
66A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
860pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
93W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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