IRF200B211 価格設定（USD） [80621個在庫]
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- 品番:
- IRF200B211
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF200B211 electronic components. IRF200B211 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF200B211, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF200B211 製品の属性
品番 :
IRF200B211
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
シリーズ :
HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.9V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
790pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
80W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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