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ON Semiconductor - NVTFS6H850NTAG

KEY Part #: K6397229

NVTFS6H850NTAG 価格設定（USD） [190901個在庫]

  • 1 pcs$0.19375
品番:
NVTFS6H850NTAG
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVTFS6H850NTAG electronic components. NVTFS6H850NTAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVTFS6H850NTAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVTFS6H850NTAG 製品の属性

品番 : NVTFS6H850NTAG
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11A (Ta), 68A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 70µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1140pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.2W (Ta), 107W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-WDFN (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN

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