BSB012NE2LXIXUMA1 価格設定（USD） [95125個在庫]
- 1 pcs$0.41105
- 5,000 pcs$0.30541
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 170A WDSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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BSB012NE2LXIXUMA1 製品の属性
品番 :
BSB012NE2LXIXUMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
170A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5852pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 57W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース :
3-WDSON
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