DMN31D6UT-13 価格設定（USD） [2007759個在庫]
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- 10,000 pcs$0.01664
- 品番:
- DMN31D6UT-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN31D6UT-13 electronic components. DMN31D6UT-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN31D6UT-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN31D6UT-13 製品の属性
品番 :
DMN31D6UT-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
350mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.35nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
13.6pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
320mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-523
パッケージ/ケース :
SOT-523
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