STP3NK80Z 価格設定（USD） [61527個在庫]
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- 品番:
- STP3NK80Z
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP3NK80Z electronic components. STP3NK80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP3NK80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP3NK80Z 製品の属性
品番 :
STP3NK80Z
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220
シリーズ :
SuperMESH™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
485pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
70W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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