IXYS-RF - IXFT12N100F

KEY Part #: K6397792

IXFT12N100F 価格設定(USD) [7792個在庫]

  • 1 pcs$6.45185
  • 10 pcs$5.86572
  • 100 pcs$4.98586
  • 500 pcs$4.25265

品番:
IXFT12N100F
メーカー:
IXYS-RF
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS-RF IXFT12N100F electronic components. IXFT12N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT12N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT12N100F 製品の属性

品番 : IXFT12N100F
メーカー : IXYS-RF
説明 : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
シリーズ : HiPerRF™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268 (IXFT)
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.

  • TK32A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 32A TO-220.